창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TF2L685V08015 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TF2L685V08015 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TF2L685V08015 | |
| 관련 링크 | TF2L685, TF2L685V08015 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | E91F501VSN271MR65T | 270µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 295 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | E91F501VSN271MR65T.pdf | |
![]() | SS9018FBU | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 | SS9018FBU.pdf | |
![]() | B82473A1473K | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 180 mOhm Max Nonstandard | B82473A1473K.pdf | |
![]() | RG3216N-5620-B-T5 | RES SMD 562 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-5620-B-T5.pdf | |
![]() | 71-9009 28V | 71-9009 28V USI SMD or Through Hole | 71-9009 28V.pdf | |
![]() | mvk50vc47MH10E0TD | mvk50vc47MH10E0TD CHILISIN SMD or Through Hole | mvk50vc47MH10E0TD.pdf | |
![]() | H11M2 | H11M2 HARRIS DIP6 | H11M2.pdf | |
![]() | LM2679SD-12/NOPB | LM2679SD-12/NOPB NSC Call | LM2679SD-12/NOPB.pdf | |
![]() | 1N5934RLG | 1N5934RLG ON DO-41 | 1N5934RLG.pdf | |
![]() | LT1117ADF-3.3TR | LT1117ADF-3.3TR STM SMD or Through Hole | LT1117ADF-3.3TR.pdf | |
![]() | FD308-A15PA450-116 | FD308-A15PA450-116 AMPHENOL ORIGINAL | FD308-A15PA450-116.pdf | |
![]() | CDLL05A20 | CDLL05A20 CDI SMD | CDLL05A20.pdf |