- TESVFD1D226M12R
TESVFD1D226M12R 가격 및 조달
가능 수량
29300 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TESVFD1D226M12R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TESVFD1D226M12R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TESVFD1D226M12R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TESVFD1D226M12R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TESVFD1D226M12R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVFD1D226M12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVFD1D226M12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVFD1D226M12R | |
| 관련 링크 | TESVFD1D2, TESVFD1D226M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TESVFD1D226M12R 의 관련 제품
 | TB-32.263MBD-T | 32.263MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TB-32.263MBD-T.pdf | |
.jpg) | CD0603-Z12 | DIODE ZENER 12V 150MW 0603 | CD0603-Z12.pdf | |
 | CDEP147NP-0R7MC-73 | 700nH Shielded Wirewound Inductor 21.5A 1.46 mOhm Max Nonstandard | CDEP147NP-0R7MC-73.pdf | |
 | CRCW20103M74FKTF | RES SMD 3.74M OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20103M74FKTF.pdf | |
 | CL10B122KBNC1.2NF10％50V | CL10B122KBNC1.2NF10％50V SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10B122KBNC1.2NF10％50V.pdf | |
| 216DK8AVA12PHGS AT | 216DK8AVA12PHGS AT ATI BGA | 216DK8AVA12PHGS AT.pdf | |
| 149DDABU | 149DDABU SIPEX MSOP8 | 149DDABU.pdf | |
| KM62V256DLTGE-10L | KM62V256DLTGE-10L SAMSUNG SMD or Through Hole | KM62V256DLTGE-10L.pdf | |
| ULN5801EP | ULN5801EP ALG PLCC | ULN5801EP.pdf | |
| IMX3 / X3 | IMX3 / X3 ROHM SOT-163 | IMX3 / X3.pdf | |
| CIB21P330NC | CIB21P330NC SAMSUNG SMD | CIB21P330NC.pdf | |
| GL8S156 | GL8S156 SHARP DIP | GL8S156.pdf |