창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVC1A106M12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVC1A106M12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVC1A106M12R | |
| 관련 링크 | TESVC1A1, TESVC1A106M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237590173 | 8200pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC237590173.pdf | |
![]() | 416F52033IAR | 52MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52033IAR.pdf | |
![]() | ASPI-0630HI-6R8M-T15 | 6.8µH Unshielded Molded Inductor 4.5A 60 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0630HI-6R8M-T15.pdf | |
![]() | TNPW12102K61BEEN | RES SMD 2.61K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12102K61BEEN.pdf | |
![]() | 2SD985-MA | 2SD985-MA NEC TO-126 | 2SD985-MA.pdf | |
![]() | SY2129-2 | SY2129-2 ORIGINAL CDIP | SY2129-2.pdf | |
![]() | RH75R0JS10N | RH75R0JS10N CYNTECSUSUMU SMD | RH75R0JS10N.pdf | |
![]() | AL6M-A11P | AL6M-A11P IDEC SMD or Through Hole | AL6M-A11P.pdf | |
![]() | LTQM | LTQM LINEAR SMD or Through Hole | LTQM.pdf | |
![]() | ADS58B19IRGZRG4G4 | ADS58B19IRGZRG4G4 TI ADS58B19IRGZRG4 | ADS58B19IRGZRG4G4.pdf | |
![]() | PO111 | PO111 ST TO-92 | PO111.pdf | |
![]() | MG15J6ES1(15A600V) | MG15J6ES1(15A600V) TOSHIBA SMD or Through Hole | MG15J6ES1(15A600V).pdf |