- TESVB21C335K8R
- 제조업체 부품 번호
- TESVB21C335K8R
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- TESVB21C335K8R NEC SMD
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TESVB21C335K8R 가격 및 조달
가능 수량
82390 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TESVB21C335K8R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TESVB21C335K8R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TESVB21C335K8R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TESVB21C335K8R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TESVB21C335K8R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVB21C335K8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVB21C335K8R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVB21C335K8R | |
| 관련 링크 | TESVB21C, TESVB21C335K8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TESVB21C335K8R 의 관련 제품
 | S202M75Z5UU83L0R | 2000pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.748" Dia(19.00mm) | S202M75Z5UU83L0R.pdf | |
| F681K33Y5RN6TJ5R | 680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | F681K33Y5RN6TJ5R.pdf | |
| TH3B335K016C3000 | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 3 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B335K016C3000.pdf | |
 | IPD50N04S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | IPD50N04S4L08ATMA1.pdf | |
| 043641WKAB-3 | 043641WKAB-3 IBM Call | 043641WKAB-3.pdf | |
| CX120 | CX120 SONY DIP-14 | CX120.pdf | |
| GT31621 | GT31621 YGWCO SOP28 | GT31621.pdf | |
| MAX9213ETM+T | MAX9213ETM+T MAXIM QFN | MAX9213ETM+T.pdf | |
| 78121-3022 | 78121-3022 MOLEX SMD or Through Hole | 78121-3022.pdf | |
| 5.6915MHZ/NR-18 | 5.6915MHZ/NR-18 NDK SMD or Through Hole | 5.6915MHZ/NR-18.pdf | |
| TR250-145-RA | TR250-145-RA RAYCHEM DIP | TR250-145-RA.pdf | |
| K4S640432C-TC80 | K4S640432C-TC80 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S640432C-TC80.pdf |