창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVB1V105M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVB1V105M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVB1V105M | |
| 관련 링크 | TESVB1, TESVB1V105M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH12D78RNP-330MC | 33µH Shielded Inductor 3.1A 50 mOhm Max Nonstandard | CDRH12D78RNP-330MC.pdf | |
![]() | CMH322522-R39KL | 390nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 450 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CMH322522-R39KL.pdf | |
![]() | 2MI100MA-050 | 2MI100MA-050 FUJI SMD or Through Hole | 2MI100MA-050.pdf | |
![]() | 2020WOYTSO | 2020WOYTSO INTER BGA | 2020WOYTSO.pdf | |
![]() | THS4150IDGKR | THS4150IDGKR TI MSOP8 | THS4150IDGKR.pdf | |
![]() | BDP1A16E | BDP1A16E LUCENT SMD or Through Hole | BDP1A16E.pdf | |
![]() | KU10R29NS | KU10R29NS SHINDENG M2F | KU10R29NS.pdf | |
![]() | CXD3600AR-T4 | CXD3600AR-T4 SONY QFP | CXD3600AR-T4.pdf | |
![]() | UVX1H470MED1TA | UVX1H470MED1TA NICHICON SMD or Through Hole | UVX1H470MED1TA.pdf | |
![]() | SRUDH-SS-106D1/6V | SRUDH-SS-106D1/6V OEG SMD or Through Hole | SRUDH-SS-106D1/6V.pdf | |
![]() | TLF8201R | TLF8201R INFINEON SMD or Through Hole | TLF8201R.pdf |