- TESVB1J226M12R
TESVB1J226M12R 가격 및 조달
가능 수량
87050 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TESVB1J226M12R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TESVB1J226M12R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TESVB1J226M12R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TESVB1J226M12R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TESVB1J226M12R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVB1J226M12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVB1J226M12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVB1J226M12R | |
| 관련 링크 | TESVB1J2, TESVB1J226M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TESVB1J226M12R 의 관련 제품
 | IPW60R070C6 | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 | IPW60R070C6.pdf | |
 | P160-182JS | 1.8µH Unshielded Inductor 1.149A 93 mOhm Max Nonstandard | P160-182JS.pdf | |
 | LR0204F100R | RES 100 OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F100R.pdf | |
 | ROX1SJ560R | RES 560 OHM 1W 5% AXIAL | ROX1SJ560R.pdf | |
| LLQ1V103MESB | LLQ1V103MESB NICHICON DIP | LLQ1V103MESB.pdf | |
| SPI-315-15-E | SPI-315-15-E SANYO SMD or Through Hole | SPI-315-15-E.pdf | |
| MN103S26EDCH | MN103S26EDCH PANASONIC QFP | MN103S26EDCH.pdf | |
| LQP31AR10G | LQP31AR10G ORIGINAL SMD | LQP31AR10G.pdf | |
| UF1K-B SMB | UF1K-B SMB ORIGINAL SMD or Through Hole | UF1K-B SMB.pdf | |
| 2SC4843(MN) | 2SC4843(MN) TOSHIBA SOT343 | 2SC4843(MN).pdf | |
| RFR6225 | RFR6225 QUALCOMM QFN | RFR6225.pdf | |
| M74M-1687-0002 | M74M-1687-0002 SCS CDIP14 | M74M-1687-0002.pdf |