창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVB1C225M12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVB1C225M12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVB1C225M12R | |
| 관련 링크 | TESVB1C2, TESVB1C225M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383427250JPM4T0 | 0.27µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383427250JPM4T0.pdf | |
![]() | 416F370X3AST | 37MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3AST.pdf | |
![]() | AUIRF7647S2TR | MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET | AUIRF7647S2TR.pdf | |
![]() | RG3216N-1801-D-T5 | RES SMD 1.8K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1801-D-T5.pdf | |
![]() | 400V120UF 18x35 | 400V120UF 18x35 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V120UF 18x35.pdf | |
![]() | AT93C08 | AT93C08 AT DIPSMD | AT93C08.pdf | |
![]() | DS21885Q | DS21885Q DALLAS PLCC | DS21885Q.pdf | |
![]() | ME2108B36PG | ME2108B36PG ME SOT-89 | ME2108B36PG.pdf | |
![]() | MI-7649A | MI-7649A ORIGINAL SMD or Through Hole | MI-7649A.pdf | |
![]() | 14D621KJ | 14D621KJ RUILON DIP | 14D621KJ.pdf | |
![]() | 7211650 | 7211650 FLEXTRONICSINTERN SMD or Through Hole | 7211650.pdf |