- TESVB1A475M12R
TESVB1A475M12R 가격 및 조달
가능 수량
37100 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TESVB1A475M12R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TESVB1A475M12R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TESVB1A475M12R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TESVB1A475M12R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TESVB1A475M12R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TESVB1A475M12R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TESVB1A475M12R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TESVB1A475M12R | |
| 관련 링크 | TESVB1A4, TESVB1A475M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TESVB1A475M12R 의 관련 제품
-TDK.jpg) | CGJ4J2X7R1A225K125AA | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGJ4J2X7R1A225K125AA.pdf | |
 | ECW-H16273HV | 0.027µF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.413" W (28.00mm x 10.50mm) | ECW-H16273HV.pdf | |
 | 1PMT5943CE3/TR7 | DIODE ZENER 56V 3W DO216AA | 1PMT5943CE3/TR7.pdf | |
| DAC811LP | DAC811LP AD DIP28 | DAC811LP.pdf | |
| CY8CLED03D01-56LTX | CY8CLED03D01-56LTX CY QFN-56 | CY8CLED03D01-56LTX.pdf | |
| MJE5030 | MJE5030 ONS SMD or Through Hole | MJE5030.pdf | |
| C2012NPO220KGTS | C2012NPO220KGTS ORIGINAL SMD or Through Hole | C2012NPO220KGTS.pdf | |
| BH6519FS-E2 | BH6519FS-E2 ROHM SMD or Through Hole | BH6519FS-E2.pdf | |
| DS-308 | DS-308 DSL SMD or Through Hole | DS-308.pdf | |
| AD28 NOPB | AD28 NOPB AOS SOT23 | AD28 NOPB.pdf | |
| H5PS5162FFR16C | H5PS5162FFR16C HYNIX BGA | H5PS5162FFR16C.pdf | |
| A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G | A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G ZENTEL SMD or Through Hole | A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G.pdf |