창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TEESVP1E105K8R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TEESVP1E105K8R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TEESVP1E105K8R | |
관련 링크 | TEESVP1E, TEESVP1E105K8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 416F24025IAT | 24MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025IAT.pdf | |
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![]() | ERJ-S03F18R0V | RES SMD 18 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F18R0V.pdf | |
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![]() | DM87SR27N | DM87SR27N NS DIP22 | DM87SR27N.pdf | |
![]() | 2844335 | 2844335 AMP SMD or Through Hole | 2844335.pdf | |
![]() | RTS3L012 | RTS3L012 TYCO SMD or Through Hole | RTS3L012.pdf | |
![]() | S1N6312US | S1N6312US MICROSEMI SMD | S1N6312US.pdf | |
![]() | LLQ2G761KHUBTF-D | LLQ2G761KHUBTF-D N/A DIP | LLQ2G761KHUBTF-D.pdf | |
![]() | CXA1272Q-2 | CXA1272Q-2 ORIGINAL QFP | CXA1272Q-2.pdf |