- TEESVD1A475M8R
- 제조업체 부품 번호
- TEESVD1A475M8R
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- TEESVD1A475M8R NEC 4.7UF10V-0603
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TEESVD1A475M8R 가격 및 조달
가능 수량
88600 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TEESVD1A475M8R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TEESVD1A475M8R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TEESVD1A475M8R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TEESVD1A475M8R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TEESVD1A475M8R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TEESVD1A475M8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEESVD1A475M8R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 4.7UF10V-0603 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEESVD1A475M8R | |
| 관련 링크 | TEESVD1A, TEESVD1A475M8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TEESVD1A475M8R 의 관련 제품
| CAL45VB392K | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 69 Ohm Max Axial | CAL45VB392K.pdf | |
 | CMF60357R00FKR6 | RES 357 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60357R00FKR6.pdf | |
| SAFTC11IA64D96E/BC | SAFTC11IA64D96E/BC INFINEON BGA388 | SAFTC11IA64D96E/BC.pdf | |
| KB20PNP1 | KB20PNP1 JRC DIP | KB20PNP1.pdf | |
| 1.5SMCJ90A-F | 1.5SMCJ90A-F ORIGINAL ORIGINAL | 1.5SMCJ90A-F.pdf | |
| ACR02F-F1C | ACR02F-F1C AIKS SMD or Through Hole | ACR02F-F1C.pdf | |
| NQ8200ZMCH | NQ8200ZMCH INTEL SMD or Through Hole | NQ8200ZMCH.pdf | |
| MAX6320PUK46CY-T | MAX6320PUK46CY-T MAXIM SOT23-5 | MAX6320PUK46CY-T.pdf | |
| ERO-S2CKF5110(511) | ERO-S2CKF5110(511) PANASONIC SMD or Through Hole | ERO-S2CKF5110(511).pdf | |
| CW79M12C | CW79M12C CHINA SMD or Through Hole | CW79M12C.pdf | |
| XC2V1000-3BG57 | XC2V1000-3BG57 XILINX BGA | XC2V1000-3BG57.pdf | |
| CCSD-20T-SM | CCSD-20T-SM ORIGINAL ROMSOCKET | CCSD-20T-SM.pdf |