- TEESVB21D475M8R
- 제조업체 부품 번호
- TEESVB21D475M8R
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 3
- 간단한 설명
- TEESVB21D475M8R NEC SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TEESVB21D475M8R 가격 및 조달
가능 수량
60040 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TEESVB21D475M8R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TEESVB21D475M8R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TEESVB21D475M8R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TEESVB21D475M8R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TEESVB21D475M8R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TEESVB21D475M8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEESVB21D475M8R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEESVB21D475M8R | |
| 관련 링크 | TEESVB21D, TEESVB21D475M8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TEESVB21D475M8R 의 관련 제품
-TDK.jpg) | MLF2012DR47KTD25 | 470nH Shielded Multilayer Inductor 200mA 500 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR47KTD25.pdf | |
| PT400-1750 | 400µH Shielded Toroidal Inductor 6A 110 mOhm Max Radial | PT400-1750.pdf | |
 | CRCW25121M07FKEG | RES SMD 1.07M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121M07FKEG.pdf | |
| SAWEN942MCA0F00R12 | SAWEN942MCA0F00R12 MURATA QFN | SAWEN942MCA0F00R12.pdf | |
| 29LV320DB | 29LV320DB MX TSSOP48 | 29LV320DB.pdf | |
| MC14022BG | MC14022BG ORIGINAL SMD or Through Hole | MC14022BG.pdf | |
| CXD8000S | CXD8000S SONY DIP | CXD8000S.pdf | |
| A70QS600-4K | A70QS600-4K FERRAZ SMD or Through Hole | A70QS600-4K.pdf | |
| M30800FCGP#U5 | M30800FCGP#U5 RENESAS QFP100 | M30800FCGP#U5.pdf | |
| EPI101741G4036L | EPI101741G4036L PCA G4036L | EPI101741G4036L.pdf | |
| S29L220AFETB | S29L220AFETB SEIKO SMD or Through Hole | S29L220AFETB.pdf | |
| SDDC16001A1 | SDDC16001A1 SEIWA LED | SDDC16001A1.pdf |