창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TEESVB21A475M8R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TEESVB21A475M8R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | STOCK | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TEESVB21A475M8R | |
관련 링크 | TEESVB21A, TEESVB21A475M8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 416F52013CKT | 52MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52013CKT.pdf | |
![]() | IMC1812RQ820K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ820K.pdf | |
![]() | MMB02070C5600FB200 | RES SMD 560 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C5600FB200.pdf | |
![]() | 2SD863-Y | 2SD863-Y KEC TO-92L | 2SD863-Y.pdf | |
![]() | M29W640GL70ZF6E | M29W640GL70ZF6E Numonyx original | M29W640GL70ZF6E.pdf | |
![]() | FAR-D5GA-881M50-D1AB-Z | FAR-D5GA-881M50-D1AB-Z FUJITSU FAR-D5GA-881M50-D1AB | FAR-D5GA-881M50-D1AB-Z.pdf | |
![]() | 2MBI400N-060-02 | 2MBI400N-060-02 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI400N-060-02.pdf | |
![]() | 95-5312(10CTQ150L) | 95-5312(10CTQ150L) IR SMD or Through Hole | 95-5312(10CTQ150L).pdf | |
![]() | ORBIT61562A | ORBIT61562A ORIGINAL PLCC-32 | ORBIT61562A.pdf | |
![]() | WE300 | WE300 ORIGINAL SMD or Through Hole | WE300.pdf | |
![]() | LNI7010 | LNI7010 ORIGINAL BGA | LNI7010.pdf | |
![]() | AM29F400BT-55ED | AM29F400BT-55ED AMD TSOP-48 | AM29F400BT-55ED.pdf |