창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TEESVB0J686M8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEESVB0J686M8R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEESVB0J686M8R | |
| 관련 링크 | TEESVB0J, TEESVB0J686M8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43305F2827M62 | 820µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 150 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305F2827M62.pdf | |
![]() | GL045F35CDT | 4.5MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL045F35CDT.pdf | |
| DRA124-100-R | 10µH Shielded Wirewound Inductor 3.67A 31 mOhm Nonstandard | DRA124-100-R.pdf | ||
![]() | M5M23160-113FP | M5M23160-113FP MIT SMD | M5M23160-113FP.pdf | |
![]() | G1183G | G1183G Gainta SMD or Through Hole | G1183G.pdf | |
![]() | 8799GTI | 8799GTI MAXIM QFN | 8799GTI.pdf | |
![]() | 0116160T3F/T3D/BT3F/MT3C-60 | 0116160T3F/T3D/BT3F/MT3C-60 MEMORY SMD | 0116160T3F/T3D/BT3F/MT3C-60.pdf | |
![]() | 2SC4617/BS | 2SC4617/BS ROHM SOT-0603 | 2SC4617/BS.pdf | |
![]() | CNY17F-1.3SD | CNY17F-1.3SD ORIGINAL SOP-6 | CNY17F-1.3SD.pdf | |
![]() | BAS70-06T 7F SOT-523 | BAS70-06T 7F SOT-523 ORIGINAL SMD or Through Hole | BAS70-06T 7F SOT-523.pdf | |
![]() | 215R7BCGA12H 9000PRO | 215R7BCGA12H 9000PRO ATI BGA | 215R7BCGA12H 9000PRO.pdf | |
![]() | K5-BW1+ | K5-BW1+ Mini-circuits SMD or Through Hole | K5-BW1+.pdf |