창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TEESVA475M0JR8(6.3V/4.7UF/A) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEESVA475M0JR8(6.3V/4.7UF/A) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEESVA475M0JR8(6.3V/4.7UF/A) | |
| 관련 링크 | TEESVA475M0JR8(6, TEESVA475M0JR8(6.3V/4.7UF/A) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D130JLPAJ | 13pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D130JLPAJ.pdf | |
![]() | DSC1001AI2-133.0000T | 133MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001AI2-133.0000T.pdf | |
![]() | CDR125NP-100MC | 10µH Shielded Inductor 2.65A 50 mOhm Max Nonstandard | CDR125NP-100MC.pdf | |
![]() | GP-XBCD | BCD OUTPUT UNIT | GP-XBCD.pdf | |
![]() | 31260/052007 | 31260/052007 ORIGINAL SMD or Through Hole | 31260/052007.pdf | |
![]() | 200-00196_A | 200-00196_A WILBONPRINTING SMD or Through Hole | 200-00196_A.pdf | |
![]() | 973101A10SL3P | 973101A10SL3P AMPHENOL ORIGINAL | 973101A10SL3P.pdf | |
![]() | ADG2600IAV4DR | ADG2600IAV4DR AMD SMD or Through Hole | ADG2600IAV4DR.pdf | |
![]() | 000-7138-37R | 000-7138-37R MIDCOM SOP | 000-7138-37R.pdf | |
![]() | L36E W07 W08 | L36E W07 W08 MOT BGA169 | L36E W07 W08.pdf | |
![]() | 75P121-1/10 | 75P121-1/10 ORIGINAL PLCC | 75P121-1/10.pdf |