창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TEA2026 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TEA2026 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP28 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TEA2026 | |
관련 링크 | TEA2, TEA2026 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | T86C105K050EASS | 1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 4.4 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C105K050EASS.pdf | |
![]() | RMCF0402FT130R | RES SMD 130 OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT130R.pdf | |
![]() | TC164-JR-07100RL | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 1206 | TC164-JR-07100RL.pdf | |
![]() | 27.65MHZ | 27.65MHZ TAIWAN 49S | 27.65MHZ.pdf | |
![]() | K4T1G044QQ-HCE6 | K4T1G044QQ-HCE6 SAMSUNG BGA | K4T1G044QQ-HCE6.pdf | |
![]() | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | 1206-5A 32V | 1206-5A 32V AEM SMD or Through Hole | 1206-5A 32V.pdf | |
![]() | M29F002T-90K1 | M29F002T-90K1 N/A TSOP | M29F002T-90K1.pdf | |
![]() | IL-FHR-50S-HF-E3000 | IL-FHR-50S-HF-E3000 JAE SMD or Through Hole | IL-FHR-50S-HF-E3000.pdf | |
![]() | M523 | M523 MIT SOP | M523.pdf | |
![]() | QS8640P | QS8640P ACER SMD | QS8640P.pdf |