창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TDZ4V7J,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TDZxJ Series | |
PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11303-2 934065713115 TDZ4V7J,115-ND TDZ4V7J115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TDZ4V7J,115 | |
관련 링크 | TDZ4V7, TDZ4V7J,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 2SC5964-TD-E | TRANS NPN 50V 3A SOT89-3 | 2SC5964-TD-E.pdf | |
![]() | 1AB13203AAAA | 1AB13203AAAA ORIGINAL SMD or Through Hole | 1AB13203AAAA.pdf | |
![]() | 1.500UF250WVDC | 1.500UF250WVDC CDEUSA SMD or Through Hole | 1.500UF250WVDC.pdf | |
![]() | 575-0100 | 575-0100 FCI SOT-4 | 575-0100.pdf | |
![]() | MFR-25FRE522R21 | MFR-25FRE522R21 YAGEO SMD or Through Hole | MFR-25FRE522R21.pdf | |
![]() | 216M1SABSA32 Mobility M1 | 216M1SABSA32 Mobility M1 ATI BGA | 216M1SABSA32 Mobility M1.pdf | |
![]() | 0603Y1000220JCT | 0603Y1000220JCT SYFER SMD | 0603Y1000220JCT.pdf | |
![]() | LLQ2012-F24N | LLQ2012-F24N TOKO SMD or Through Hole | LLQ2012-F24N.pdf | |
![]() | N17/23 | N17/23 DIODES SOT-23 | N17/23.pdf | |
![]() | MB8843-1216M | MB8843-1216M F DIP | MB8843-1216M.pdf |