창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TDZ3V0J,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TDZxJ Series | |
PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11299-2 934065703115 TDZ3V0J,115-ND TDZ3V0J115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TDZ3V0J,115 | |
관련 링크 | TDZ3V0, TDZ3V0J,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | UHE2A121MHD6TO | 120µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE2A121MHD6TO.pdf | |
![]() | 1025-52H | 22µH Unshielded Molded Inductor 144mA 3.3 Ohm Max Axial | 1025-52H.pdf | |
![]() | IDB06S60C | IDB06S60C INFINEON D2PAK (TO-263) | IDB06S60C.pdf | |
![]() | L298P SO-20 ROHS | L298P SO-20 ROHS ST 31 EACH | L298P SO-20 ROHS.pdf | |
![]() | R6764-61/63 | R6764-61/63 CONEXANT QFP | R6764-61/63.pdf | |
![]() | LT1585-ADJ | LT1585-ADJ LINEAR TO-263 | LT1585-ADJ.pdf | |
![]() | A1204 | A1204 TOS TO-89 | A1204.pdf | |
![]() | RN412ESTTE1101F50 | RN412ESTTE1101F50 KOA SMD or Through Hole | RN412ESTTE1101F50.pdf | |
![]() | 10-87-8426 | 10-87-8426 MOLEX ORIGINAL | 10-87-8426.pdf | |
![]() | CH47U-3E61 | CH47U-3E61 TOSHIBA QFP44 | CH47U-3E61.pdf | |
![]() | ATI 200M RC410MB 2 | ATI 200M RC410MB 2 ATI BGA | ATI 200M RC410MB 2.pdf | |
![]() | BS-4009 | BS-4009 bas SMD or Through Hole | BS-4009.pdf |