창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TCSCSIV475MCAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TCSCSIV475MCAR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TCSCSIV475MCAR | |
| 관련 링크 | TCSCSIV4, TCSCSIV475MCAR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | T550B256K100BH0100 | 25µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 100V Axial 190 mOhm 0.279" Dia x 0.650" L (7.09mm x 16.51mm) | T550B256K100BH0100.pdf | |
![]() | 416F44013ATT | 44MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44013ATT.pdf | |
![]() | RC2010JK-072K7L | RES SMD 2.7K OHM 5% 3/4W 2010 | RC2010JK-072K7L.pdf | |
![]() | TBA222BSI | TBA222BSI SIEMENS DIP8 | TBA222BSI.pdf | |
![]() | H5TQ1G83TFR-H9C-C | H5TQ1G83TFR-H9C-C Hynix SMD or Through Hole | H5TQ1G83TFR-H9C-C.pdf | |
![]() | STPS4045CW/ST | STPS4045CW/ST ST SMD or Through Hole | STPS4045CW/ST.pdf | |
![]() | SC380019FB1ADSIC | SC380019FB1ADSIC ORIGINAL SMD | SC380019FB1ADSIC.pdf | |
![]() | 24lc65-p | 24lc65-p microchip SMD or Through Hole | 24lc65-p.pdf | |
![]() | 54LS366J/883B | 54LS366J/883B RAYT DIP | 54LS366J/883B.pdf | |
![]() | UZ8.2BSC | UZ8.2BSC PyungChang SMD or Through Hole | UZ8.2BSC.pdf | |
![]() | CL05C020BBNC | CL05C020BBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05C020BBNC.pdf |