창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TCM0G226M8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TC Series M Case | |
| 제품 교육 모듈 | Tantalum Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2039 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | TC | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 9옴 | |
| 유형 | 성형 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.033" W(1.60mm x 0.85mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 제조업체 크기 코드 | M | |
| 특징 | 부하 경감 권장, 범용 | |
| 수명 @ 온도 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 511-1493-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TCM0G226M8R | |
| 관련 링크 | TCM0G2, TCM0G226M8R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | Y14676R25000B0L | RES 6.25 OHM 10W 0.1% RADIAL | Y14676R25000B0L.pdf | |
![]() | BA6511 | BA6511 AO SOP8 | BA6511.pdf | |
![]() | BAW56-T | BAW56-T PHI SOT-23 | BAW56-T.pdf | |
![]() | LM555CDT | LM555CDT ST SOP-8 | LM555CDT.pdf | |
![]() | 65948S1-P02-B6 | 65948S1-P02-B6 NEC BGA | 65948S1-P02-B6.pdf | |
![]() | GCM2165C1H7R0DZ13D | GCM2165C1H7R0DZ13D MUR SMD or Through Hole | GCM2165C1H7R0DZ13D.pdf | |
![]() | UPY1C101MEH | UPY1C101MEH NICHICON SMD or Through Hole | UPY1C101MEH.pdf | |
![]() | ISL6414IR-T5K | ISL6414IR-T5K INTERSIL QFN | ISL6414IR-T5K.pdf | |
![]() | DBRJS66M6LY-DARK-GREY | DBRJS66M6LY-DARK-GREY ORIGINAL SMD or Through Hole | DBRJS66M6LY-DARK-GREY.pdf | |
![]() | D203B-PIR | D203B-PIR PIR TO-3 | D203B-PIR.pdf | |
![]() | SN10047DWR | SN10047DWR TIS Call | SN10047DWR.pdf | |
![]() | HVU316TRU-E | HVU316TRU-E HENESAS SOT323 | HVU316TRU-E.pdf |