창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TC648VPA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TC648VPA | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TC648VPA | |
| 관련 링크 | TC64, TC648VPA 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 1825CA123JAT1A | 0.012µF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825CA123JAT1A.pdf | |
![]() | 087601.6MRET1P | FUSE CERAMIC 1.6A 250VAC AXIAL | 087601.6MRET1P.pdf | |
![]() | SRR1280-120M | 12µH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max Nonstandard | SRR1280-120M.pdf | |
![]() | 0402R-51NK | 51nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 820 mOhm Max 2-SMD | 0402R-51NK.pdf | |
![]() | HS200 1K J | RES CHAS MNT 1K OHM 5% 200W | HS200 1K J.pdf | |
![]() | B39376-X6768-N201 | B39376-X6768-N201 EPCOS DIP | B39376-X6768-N201.pdf | |
![]() | S54155F | S54155F NS CDIP | S54155F.pdf | |
![]() | LA25-HP | LA25-HP LEA SMD or Through Hole | LA25-HP.pdf | |
![]() | 1161PI | 1161PI CATALYST DIP | 1161PI.pdf | |
![]() | 203.500G | 203.500G Littelfuse SMD or Through Hole | 203.500G.pdf | |
![]() | LC866524A-5P85 | LC866524A-5P85 SANYO QFP-100 | LC866524A-5P85.pdf | |
![]() | RF82945GZ | RF82945GZ Intel BGA | RF82945GZ.pdf |