창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TC58NVG1S3BFT00. | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TC58NVG1S3BFT00. | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSOP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TC58NVG1S3BFT00. | |
| 관련 링크 | TC58NVG1S, TC58NVG1S3BFT00. 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | E36D101HPN472MA79M | 4700µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2.81 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | E36D101HPN472MA79M.pdf | |
![]() | XG-2102CA 212.5000M-PGPAL3 | 212.5MHz LVPECL SO (SAW) Oscillator Surface Mount 3.3V 60mA Enable/Disable | XG-2102CA 212.5000M-PGPAL3.pdf | |
![]() | H81K3FYA | RES 1.30K OHM 1/4W 1% AXIAL | H81K3FYA.pdf | |
![]() | M6MGT64BM34CWG-PAO MEMORY | M6MGT64BM34CWG-PAO MEMORY ORIGINAL SMD or Through Hole | M6MGT64BM34CWG-PAO MEMORY.pdf | |
![]() | SS12J | SS12J TAYCHIPST DO-214AC | SS12J.pdf | |
![]() | CDR1G25 | CDR1G25 AGERE QFP | CDR1G25.pdf | |
![]() | G6AK-234P-ST-US DC3 | G6AK-234P-ST-US DC3 OMRON SMD or Through Hole | G6AK-234P-ST-US DC3.pdf | |
![]() | CSA24.00MXZ040-TF01 | CSA24.00MXZ040-TF01 muRata DIP-2P | CSA24.00MXZ040-TF01.pdf | |
![]() | MAX5464EXT+T | MAX5464EXT+T MAXIM SC70-6 | MAX5464EXT+T.pdf | |
![]() | GRM31CR71E106KA01L | GRM31CR71E106KA01L MURATA SMD | GRM31CR71E106KA01L.pdf | |
![]() | SFE10.7MS3-E | SFE10.7MS3-E TDK SMD-DIP | SFE10.7MS3-E.pdf | |
![]() | SC514258CDW | SC514258CDW MOTOROLA SMD | SC514258CDW.pdf |