창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TC4S69FTE85R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TC4S69FTE85R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TC4S69FTE85R | |
관련 링크 | TC4S69F, TC4S69FTE85R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | AT2564N | AT2564N AT SOP-8 | AT2564N.pdf | |
![]() | PBA1000F-24 | PBA1000F-24 Cosel SMD or Through Hole | PBA1000F-24.pdf | |
![]() | LE82G963 | LE82G963 INTEL BGA | LE82G963.pdf | |
![]() | N70700CFFB000 | N70700CFFB000 PHILIPS SOP | N70700CFFB000.pdf | |
![]() | UDS2981R-883 | UDS2981R-883 ALLEGRO CDIP18 | UDS2981R-883.pdf | |
![]() | IDT71256-L150DB | IDT71256-L150DB IDT DIP | IDT71256-L150DB.pdf | |
![]() | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | BGH1608B102LT | BGH1608B102LT ORIGINAL SMD or Through Hole | BGH1608B102LT.pdf | |
![]() | SP2343ECA | SP2343ECA SIPEX SSOP | SP2343ECA.pdf | |
![]() | SUD19N20-90E3 | SUD19N20-90E3 VISHAY SMD or Through Hole | SUD19N20-90E3.pdf |