창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TAP600K4R0E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TAP600 Series | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | TAP600 "E" Seiries Material Declaration | |
| 카탈로그 페이지 | 2261 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 섀시 장착 저항기 | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | TAP600 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 4 | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력(와트) | 600W | |
| 구성 | 후막 | |
| 온도 계수 | ±150ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 특징 | - | |
| 코팅, 하우징 유형 | 에폭시 코팅 | |
| 실장 기능 | 플랜지 | |
| 크기/치수 | 2.559" L x 2.362" W(65.00mm x 60.00mm) | |
| 높이 | 1.280"(32.50mm) | |
| 리드 유형 | M5 스레드 | |
| 패키지/케이스 | 박스 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TAP600K4R0E | |
| 관련 링크 | TAP600, TAP600K4R0E 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | D682Z25Z5UH6TL2R | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D682Z25Z5UH6TL2R.pdf | |
![]() | 05083C104KA16A | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) | 05083C104KA16A.pdf | |
![]() | VJ2225Y564JBCAT4X | 0.56µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y564JBCAT4X.pdf | |
![]() | PE-0402CC5N1STT | 5.1nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | PE-0402CC5N1STT.pdf | |
![]() | A263L-000E | A263L-000E AVAGO SMD or Through Hole | A263L-000E.pdf | |
![]() | 947CE | 947CE NNNNN SMD or Through Hole | 947CE.pdf | |
![]() | 74AUP1G74DC | 74AUP1G74DC NXP VSSOP8 | 74AUP1G74DC.pdf | |
![]() | 1N5364B33V | 1N5364B33V ON SMD or Through Hole | 1N5364B33V.pdf | |
![]() | AP2121AK-2.8TR-E1 | AP2121AK-2.8TR-E1 AAC SOT153 | AP2121AK-2.8TR-E1.pdf | |
![]() | TT92N16 | TT92N16 EUPEC SMD or Through Hole | TT92N16.pdf | |
![]() | LT1170HVCQTR | LT1170HVCQTR LINFAR SMD or Through Hole | LT1170HVCQTR.pdf | |
![]() | GSM_GM47 | GSM_GM47 SONY SMD or Through Hole | GSM_GM47.pdf |