창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TAP226K010GSB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TAP Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | TAP | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 22µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 2.7옴 | |
유형 | 공형 코팅 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.217" Dia(5.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.413"(10.50mm) | |
리드 간격 | 0.125"(3.18mm) | |
제조업체 크기 코드 | E | |
특징 | 범용 | |
수명 @ 온도 | 1000시간(85°C) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TAP226K010GSB | |
관련 링크 | TAP226K, TAP226K010GSB 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 |
![]() | IPB123N10N3 G | MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 | IPB123N10N3 G.pdf | |
![]() | SP1812R-183K | 18µH Shielded Inductor 613mA 680 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | SP1812R-183K.pdf | |
![]() | TLC1064-1CN | TLC1064-1CN LT DIP | TLC1064-1CN.pdf | |
![]() | ZEC2000VCH-RA27G | ZEC2000VCH-RA27G MUS/HYNIX 7.2mm-20 | ZEC2000VCH-RA27G.pdf | |
![]() | MAX232IDWR | MAX232IDWR TI SOIC-16 | MAX232IDWR.pdf | |
![]() | M28W102BB-70NI | M28W102BB-70NI ST SOP | M28W102BB-70NI.pdf | |
![]() | BC547B,126 | BC547B,126 NXP SMD or Through Hole | BC547B,126.pdf | |
![]() | CHA6518-99F/00 | CHA6518-99F/00 UMS SMD or Through Hole | CHA6518-99F/00.pdf | |
![]() | HMC581LP6 | HMC581LP6 HITTITE SMD or Through Hole | HMC581LP6.pdf | |
![]() | N12P-GT-A1 GF108-750-A1 | N12P-GT-A1 GF108-750-A1 NVIDIA BGA | N12P-GT-A1 GF108-750-A1.pdf | |
![]() | SN54LS16J | SN54LS16J TI CDIP14 | SN54LS16J.pdf | |
![]() | HIN238IPZ | HIN238IPZ INTERSIL DIP | HIN238IPZ.pdf |