창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TAJB475M025 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TAJB475M025 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TAJB475M025 | |
| 관련 링크 | TAJB47, TAJB475M025 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TH3B685M016E1800 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 1.8 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B685M016E1800.pdf | |
![]() | GTCR38-351M-R10 | GDT 350V 20% 10KA THROUGH HOLE | GTCR38-351M-R10.pdf | |
![]() | GL122F35IDT | 12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL122F35IDT.pdf | |
| SIR812DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | SIR812DP-T1-GE3.pdf | ||
![]() | HHV-50FR-52-560K | RES 560K OHM 1/2W 1% AXIAL | HHV-50FR-52-560K.pdf | |
![]() | LVC4245APW | LVC4245APW NXP TSSOP | LVC4245APW.pdf | |
![]() | EMIF011008W5 | EMIF011008W5 ST SMD or Through Hole | EMIF011008W5.pdf | |
![]() | BZG05C4V3 | BZG05C4V3 VISHAY SMD or Through Hole | BZG05C4V3.pdf | |
![]() | LSC441361CFN(F005V10 | LSC441361CFN(F005V10 FREESCAL PLCC52 | LSC441361CFN(F005V10.pdf | |
![]() | 7109DG | 7109DG ORIGINAL SMD or Through Hole | 7109DG.pdf | |
![]() | DSIE-S-DC5V | DSIE-S-DC5V PANA DIP-5 | DSIE-S-DC5V.pdf |