창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TA810PW7R50JE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TA Series | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | Power Chip® TA | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 7.5 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 10W | |
구성 | 후막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 180°C | |
패키지/케이스 | 방사 | |
공급 장치 패키지 | Powerchip® | |
크기/치수 | 1.085" L x 0.240" W(27.56mm x 6.10mm) | |
높이 | 1.020"(25.91mm) | |
종단 개수 | 4 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | OHTA810PW7R50JE OHTA810PW7R50JE-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TA810PW7R50JE | |
관련 링크 | TA810PW, TA810PW7R50JE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
0CCL050.V | FUSE CRTRDGE 50A 125VDC CYLINDR | 0CCL050.V.pdf | ||
SIHH11N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK | SIHH11N65E-T1-GE3.pdf | ||
LGHK0603 27NJ-T | LGHK0603 27NJ-T TAIYO SMD or Through Hole | LGHK0603 27NJ-T.pdf | ||
3040LOZT00 | 3040LOZT00 INTEL BGA | 3040LOZT00.pdf | ||
LA7953 | LA7953 SANYO DIP30 | LA7953.pdf | ||
IR10MQ060N | IR10MQ060N ir SMD or Through Hole | IR10MQ060N.pdf | ||
JM38510/00 | JM38510/00 MOT CDIP16 | JM38510/00.pdf | ||
DS26LS32AN | DS26LS32AN NSC DIP | DS26LS32AN.pdf | ||
MC74ACT86MEL | MC74ACT86MEL ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | MC74ACT86MEL.pdf | ||
TPS6E001RSFR | TPS6E001RSFR TI QFN-12 | TPS6E001RSFR.pdf | ||
AH292-YL-8 | AH292-YL-8 ORIGINAL SOT89 | AH292-YL-8.pdf |