창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-T510X477M006AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | T510 Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors Derating Guidelines for Surface Mount Tantalum Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2031 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | T510 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 470µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 30m옴 | |
| 유형 | 성형 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2917(7343 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.287" L x 0.169" W(7.30mm x 4.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.169"(4.30mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 제조업체 크기 코드 | X | |
| 특징 | 범용 | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 399-4001-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | T510X477M006AT | |
| 관련 링크 | T510X477, T510X477M006AT 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | SPP-5E250 | FUSE MOD 250A 700V BLADE | SPP-5E250.pdf | |
![]() | 416F37435IDR | 37.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37435IDR.pdf | |
![]() | RT2010FKE0743R2L | RES SMD 43.2 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0743R2L.pdf | |
![]() | AON2F11-B | AON2F11-B ORIGINAL SMD or Through Hole | AON2F11-B.pdf | |
![]() | HS-2054 | HS-2054 ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-2054.pdf | |
![]() | M58LW032A90N1T | M58LW032A90N1T MITSUBIS TSOP | M58LW032A90N1T.pdf | |
![]() | EECS5R5V474 | EECS5R5V474 PANASONIC 20 5 | EECS5R5V474.pdf | |
![]() | S-80719AL-AG-T2 | S-80719AL-AG-T2 SEIKO/ SOT-89 | S-80719AL-AG-T2.pdf | |
![]() | TBC847-C | TBC847-C TOSHIBA SOT-23 3.9MM | TBC847-C.pdf | |
![]() | R60eR5470AA4 | R60eR5470AA4 KEMET SMD or Through Hole | R60eR5470AA4.pdf | |
![]() | ZX95-1048-S+ | ZX95-1048-S+ MINI SMD or Through Hole | ZX95-1048-S+.pdf | |
![]() | OEGSDT-S-105DMR | OEGSDT-S-105DMR OEG SMD or Through Hole | OEGSDT-S-105DMR.pdf |