창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-T1052S1200TCBS2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | T1052S1200TCBS2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | T1052S1200TCBS2 | |
| 관련 링크 | T1052S120, T1052S1200TCBS2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 0603ZD684KAT4A | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZD684KAT4A.pdf | |
![]() | TR3A336M004C1500 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 1.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TR3A336M004C1500.pdf | |
![]() | RT0603CRD0727R4L | RES SMD 27.4OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD0727R4L.pdf | |
![]() | S111725Q609/223 | S111725Q609/223 AUK SOT-223 | S111725Q609/223.pdf | |
![]() | HYB25DC256160CF-5 DDR SDRAM | HYB25DC256160CF-5 DDR SDRAM Infineon BGA | HYB25DC256160CF-5 DDR SDRAM.pdf | |
![]() | 74LV125N | 74LV125N NXP SMD or Through Hole | 74LV125N.pdf | |
![]() | TLE4984ACE8 | TLE4984ACE8 INFENION SSO-3-9 | TLE4984ACE8.pdf | |
![]() | NSTL822M350V77X151P2F | NSTL822M350V77X151P2F NIC DIP | NSTL822M350V77X151P2F.pdf | |
![]() | VAC157G | VAC157G ON SOIC-16 | VAC157G.pdf | |
![]() | LVT162374 | LVT162374 PHI SSOP48 | LVT162374.pdf | |
![]() | R141.083.590 | R141.083.590 RAD SMD or Through Hole | R141.083.590.pdf | |
![]() | TP2535AG | TP2535AG SUPERTEX SOP16 | TP2535AG.pdf |