창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ4690T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ4yyyT1G, SZMMSZ4yyyT1G Series | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SZMMSZ4690T1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZMMSZ4690T1G | |
관련 링크 | SZMMSZ4, SZMMSZ4690T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ECS-240-10-36Q-JEN-TR | 24MHz ±20ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-240-10-36Q-JEN-TR.pdf | |
![]() | TNPW060312K0BEEN | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060312K0BEEN.pdf | |
![]() | CMF55453R00BHRE | RES 453 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55453R00BHRE.pdf | |
![]() | CRM4GRR72A474KX01K | CRM4GRR72A474KX01K MURATA 1812 | CRM4GRR72A474KX01K.pdf | |
![]() | C2012X7R1H221KT000N | C2012X7R1H221KT000N tdk INSTOCKPACK4000 | C2012X7R1H221KT000N.pdf | |
![]() | OEC0059A | OEC0059A ORION QFP-100 | OEC0059A.pdf | |
![]() | BZX84A15LT1D | BZX84A15LT1D ON SOP-23 | BZX84A15LT1D.pdf | |
![]() | IR4426STR | IR4426STR IR SOP-8 | IR4426STR.pdf | |
![]() | CC3028 | CC3028 APT TO-3P-2 | CC3028.pdf | |
![]() | TNO200T | TNO200T ORIGINAL TR FET SILICON | TNO200T.pdf | |
![]() | 30.000MHZ DSX321G | 30.000MHZ DSX321G KDS DSX321G | 30.000MHZ DSX321G.pdf | |
![]() | E52-P35C D=6.4 | E52-P35C D=6.4 Omron SMD or Through Hole | E52-P35C D=6.4.pdf |