창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ10T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZMMSZ10T1G | |
| 관련 링크 | SZMMSZ, SZMMSZ10T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MPLAD15KP51CA | TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD | MPLAD15KP51CA.pdf | |
![]() | LP036F35IDT | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP036F35IDT.pdf | |
![]() | CDVT2109 | CDVT2109 MICRONAS QFP | CDVT2109.pdf | |
![]() | SIW3500GIG3-T1 | SIW3500GIG3-T1 RFMD BGA96 | SIW3500GIG3-T1.pdf | |
![]() | 25YK470M10X12.5 | 25YK470M10X12.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 25YK470M10X12.5.pdf | |
![]() | 55471/883 | 55471/883 ORIGINAL CDIP8 | 55471/883.pdf | |
![]() | LT1181I | LT1181I MAXIM SMD or Through Hole | LT1181I.pdf | |
![]() | BT08-600B | BT08-600B ORIGINAL SMD or Through Hole | BT08-600B.pdf | |
![]() | EG2315A | EG2315A E-SWITCH SMD or Through Hole | EG2315A.pdf | |
![]() | QG82945GZ-SL927 | QG82945GZ-SL927 INTEL BGA | QG82945GZ-SL927.pdf | |
![]() | VDZSerieS | VDZSerieS ROHM DIPSOP | VDZSerieS.pdf | |
![]() | FX10B-120P/12-SV | FX10B-120P/12-SV Hirose SMD | FX10B-120P/12-SV.pdf |