창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZMMBZ18VALT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZyyyALT1 Series | |
| PCN 설계/사양 | Nitride Passivation Layer 30/Sep/2015 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | 1 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 14.5V | |
| 전압 - 항복(최소) | 17.1V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 25V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 1.6A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 40W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZMMBZ18VALT3G | |
| 관련 링크 | SZMMBZ18, SZMMBZ18VALT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F50011CAR | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50011CAR.pdf | |
![]() | PHP00805H1010BST1 | RES SMD 101 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1010BST1.pdf | |
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![]() | KM4232W259AQ-50 | KM4232W259AQ-50 SEC QFP-128 | KM4232W259AQ-50.pdf | |
![]() | ELSYS/VP3062-V1.0 | ELSYS/VP3062-V1.0 NS DIP-20 | ELSYS/VP3062-V1.0.pdf | |
![]() | CS4397CSZ | CS4397CSZ ORIGINAL SMD | CS4397CSZ.pdf | |
![]() | AAP2917-13VIR1 | AAP2917-13VIR1 EUTECH SOT-25 | AAP2917-13VIR1.pdf | |
![]() | S9S12C128F0VFUE | S9S12C128F0VFUE FreescaleSemicond SMD or Through Hole | S9S12C128F0VFUE.pdf | |
![]() | SY58609UMG | SY58609UMG MIS SMD or Through Hole | SY58609UMG.pdf | |
![]() | rnc04J103TR10F | rnc04J103TR10F niccompcom/catalog/nrcpdf SMD or Through Hole | rnc04J103TR10F.pdf | |
![]() | LM386M-1G4 | LM386M-1G4 NSC SOP8 | LM386M-1G4.pdf |