창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C75LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 255옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 52.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZBZX84C75LT1G | |
| 관련 링크 | SZBZX84C, SZBZX84C75LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | J4K316BJ105MF-T | 1µF Isolated Capacitor 4 Array 25V X5R 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | J4K316BJ105MF-T.pdf | |
![]() | TPSMP6.8AHM3/85A | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO220AA | TPSMP6.8AHM3/85A.pdf | |
![]() | 8532R-38H | 1.2mH Unshielded Inductor 370mA 2.55 Ohm Max 2-SMD | 8532R-38H.pdf | |
![]() | AT1206BRD0716R5L | RES SMD 16.5 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0716R5L.pdf | |
![]() | ISD15108FYI | ISD15108FYI Nuvoton LQFP48 | ISD15108FYI.pdf | |
![]() | 7910CH | 7910CH ORIGINAL DIP | 7910CH.pdf | |
![]() | MAX1239LEEE | MAX1239LEEE MAX SSOP | MAX1239LEEE.pdf | |
![]() | S-80819CNY-Z | S-80819CNY-Z SEK TO92 | S-80819CNY-Z.pdf | |
![]() | 89PR2MEG | 89PR2MEG BITECH SMD or Through Hole | 89PR2MEG.pdf | |
![]() | VG-1011JA-AVK-27.000 | VG-1011JA-AVK-27.000 SEIKOEPSON SMD or Through Hole | VG-1011JA-AVK-27.000.pdf | |
![]() | 2008618-1 | 2008618-1 ORIGINAL NEW | 2008618-1.pdf | |
![]() | 411-6WL | 411-6WL TELEDYNE SMD or Through Hole | 411-6WL.pdf |