창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C6V2ET3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZBZX84C6V2ET3G | |
| 관련 링크 | SZBZX84C6, SZBZX84C6V2ET3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B43508B5127M7 | 120µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.02 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508B5127M7.pdf | |
![]() | SA102C152JARC | 1500pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102C152JARC.pdf | |
![]() | SIT8924AA-12-33E-10.000000D | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT8924AA-12-33E-10.000000D.pdf | |
![]() | T410-600B-TR | TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK | T410-600B-TR.pdf | |
![]() | ESB226M035AG3AA | ESB226M035AG3AA ARCOTRNIC DIP | ESB226M035AG3AA.pdf | |
![]() | 18B-20 | 18B-20 AMD SMD or Through Hole | 18B-20.pdf | |
![]() | MAX969ESE | MAX969ESE MAXIM SOP16 | MAX969ESE.pdf | |
![]() | VC2832-0001 | VC2832-0001 VLSI PLCC84 | VC2832-0001.pdf | |
![]() | 74LVC244APGG | 74LVC244APGG IDT SMD or Through Hole | 74LVC244APGG.pdf | |
![]() | H-848 | H-848 BOURNS SMD or Through Hole | H-848.pdf | |
![]() | UZS1A220MCR1GB | UZS1A220MCR1GB NICHICON SMD or Through Hole | UZS1A220MCR1GB.pdf |