창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C56ET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 39.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZBZX84C56ET1G | |
| 관련 링크 | SZBZX84C, SZBZX84C56ET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 04023A120CAT2A | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A120CAT2A.pdf | |
![]() | AD7376ARUZ10-R7 | AD7376ARUZ10-R7 AnalogDevices SSOP | AD7376ARUZ10-R7.pdf | |
![]() | STI5517SWA-X | STI5517SWA-X ST BGA | STI5517SWA-X.pdf | |
![]() | V660ME07 | V660ME07 ZCOMM SMD or Through Hole | V660ME07.pdf | |
![]() | 87C409BM3VU9 | 87C409BM3VU9 TOSHIBA SMD | 87C409BM3VU9.pdf | |
![]() | 18734-1-04 | 18734-1-04 AD SMD or Through Hole | 18734-1-04.pdf | |
![]() | HBWS2012-82N | HBWS2012-82N HY/HONGYEX SMD or Through Hole | HBWS2012-82N.pdf | |
![]() | 54596-0510 | 54596-0510 MOLEX SMD or Through Hole | 54596-0510.pdf | |
![]() | IRF7335D1TRPBF` | IRF7335D1TRPBF` IR SMD or Through Hole | IRF7335D1TRPBF`.pdf | |
![]() | QM6680NTEX=KS51600-30 | QM6680NTEX=KS51600-30 SAMSUNG DIP30 | QM6680NTEX=KS51600-30.pdf | |
![]() | EASG500ELLR33ME11S | EASG500ELLR33ME11S NIPPON DIP | EASG500ELLR33ME11S.pdf |