창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C3V0ET1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C3V0ET1G | |
관련 링크 | SZBZX84C3, SZBZX84C3V0ET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BYT52A-TAP | DIODE AVALANCHE 50V 1.4A SOD57 | BYT52A-TAP.pdf | ||
IPB054N06N3 G | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | IPB054N06N3 G.pdf | ||
ERJ-6BSFR15V | RES SMD 0.15 OHM 1% 1/3W 0805 | ERJ-6BSFR15V.pdf | ||
RT0805BRE0710K1L | RES SMD 10.1K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0710K1L.pdf | ||
D34XHD | D34XHD ORIGINAL QFP | D34XHD.pdf | ||
TB1231AN #T | TB1231AN #T TOSH DIP-56P | TB1231AN #T.pdf | ||
UPC1880 | UPC1880 NEC DIP | UPC1880.pdf | ||
SG-615PC-16.0000M | SG-615PC-16.0000M SG SOJ-4 | SG-615PC-16.0000M.pdf | ||
28*28MM | 28*28MM ORIGINAL SMD or Through Hole | 28*28MM.pdf | ||
MAX1502TETJ+T | MAX1502TETJ+T MAXIM QFN | MAX1502TETJ+T.pdf | ||
PIC32MX110F016B-V/SO | PIC32MX110F016B-V/SO MIC TQFP-64-80-100 | PIC32MX110F016B-V/SO.pdf | ||
LB05R00AS-TR | LB05R00AS-TR LUCENT SOP-8 | LB05R00AS-TR.pdf |