창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C11LT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C11LT3G | |
관련 링크 | SZBZX84C, SZBZX84C11LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 402F26033CAR | 26MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26033CAR.pdf | |
![]() | CRCW060356K0FKEAHP | RES SMD 56K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060356K0FKEAHP.pdf | |
![]() | 610FPR002E | RES 0.002 OHM 1W 1% RADIAL | 610FPR002E.pdf | |
![]() | LM258DE2G | LM258DE2G ON SOP8 | LM258DE2G.pdf | |
![]() | 2SK3372GRLBF- | 2SK3372GRLBF- Panasonic 0402-3 | 2SK3372GRLBF-.pdf | |
![]() | ECQE1A103JF3 | ECQE1A103JF3 panasonic SMD or Through Hole | ECQE1A103JF3.pdf | |
![]() | 12176335 | 12176335 DELPHI con | 12176335.pdf | |
![]() | S102VM | S102VM MARUWA SMD or Through Hole | S102VM.pdf | |
![]() | AD1861 N | AD1861 N ORIGINAL PDIP | AD1861 N.pdf | |
![]() | AZN49W | AZN49W ORIGINAL QFN | AZN49W.pdf | |
![]() | B82470A1103M000 | B82470A1103M000 EPCOS SMD | B82470A1103M000.pdf | |
![]() | ICVT-8P | ICVT-8P NINIGI SMD or Through Hole | ICVT-8P.pdf |