창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZ1SMB5917BT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZ1SMB5917BT3G | |
| 관련 링크 | SZ1SMB59, SZ1SMB5917BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IR80EPS16 | IR80EPS16 ir SMD or Through Hole | IR80EPS16.pdf | |
![]() | DELC-J9PAF-10L6 | DELC-J9PAF-10L6 JAE SMD or Through Hole | DELC-J9PAF-10L6.pdf | |
![]() | NXPT6NQ10T | NXPT6NQ10T NXP SOT223 | NXPT6NQ10T.pdf | |
![]() | V53C16258HK/LK50 | V53C16258HK/LK50 ORIGINAL SOJ | V53C16258HK/LK50.pdf | |
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![]() | SY10E112JCTR | SY10E112JCTR ORIGINAL PLCC | SY10E112JCTR.pdf | |
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![]() | RD2E475M0811MPF180 | RD2E475M0811MPF180 SAMWHA SMD or Through Hole | RD2E475M0811MPF180.pdf |