창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SURS8220T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR/SURS220T3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 950mV @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMB | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SURS8220T3G-ND SURS8220T3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SURS8220T3G | |
| 관련 링크 | SURS82, SURS8220T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | NFA31CC221S1E4D | 220pF Bussed Capacitor 4 Array 25V 1206 (3216 Metric), 10 PC Pad 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | NFA31CC221S1E4D.pdf | |
| AT-16.000MAPY-T | 16MHz ±30ppm 수정 7pF 60옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-16.000MAPY-T.pdf | ||
![]() | RC1608F6980CS | RES SMD 698 OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F6980CS.pdf | |
![]() | CMF5571K500BHR6 | RES 71.5K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5571K500BHR6.pdf | |
![]() | SG-9001CA20MD10P-L2 | SG-9001CA20MD10P-L2 EPSONTOYOCOM SMD or Through Hole | SG-9001CA20MD10P-L2.pdf | |
![]() | HMC265ETR | HMC265ETR HITTITE CHIP | HMC265ETR.pdf | |
![]() | F2709TR | F2709TR ORIGINAL SMD or Through Hole | F2709TR.pdf | |
![]() | JS1-B-24V | JS1-B-24V ORIGINAL DIP | JS1-B-24V.pdf | |
![]() | TEESVV0J337M8R | TEESVV0J337M8R NEC SMD | TEESVV0J337M8R.pdf | |
![]() | FMM5107 | FMM5107 FUJITSU SMD or Through Hole | FMM5107.pdf | |
![]() | D784215GC150 | D784215GC150 NEC QFP | D784215GC150.pdf | |
![]() | PV37Y504C01B00 | PV37Y504C01B00 MURATA DIP | PV37Y504C01B00.pdf |