창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP90P06-09L-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP90P06-09L Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SUP90P0609LE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP90P06-09L-E3 | |
| 관련 링크 | SUP90P06-, SUP90P06-09L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D360FLPAJ | 36pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360FLPAJ.pdf | |
![]() | CMF55178R00DHEA | RES 178 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55178R00DHEA.pdf | |
![]() | H81M0BDA | RES 1.00M OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81M0BDA.pdf | |
![]() | KWC-LHP | KWC-LHP ORIGINAL NA | KWC-LHP.pdf | |
![]() | A3668AT | A3668AT PHI SOP8S | A3668AT.pdf | |
![]() | MP4301. | MP4301. TOSHIBA SMD or Through Hole | MP4301..pdf | |
![]() | TEA6330T/01 | TEA6330T/01 TDA SOP | TEA6330T/01.pdf | |
![]() | APW7008QAI-TYL | APW7008QAI-TYL ANPEC SMD or Through Hole | APW7008QAI-TYL.pdf | |
![]() | 2C128F32493-C6-XXN 7C | 2C128F32493-C6-XXN 7C XILINX QFN-180D | 2C128F32493-C6-XXN 7C.pdf | |
![]() | HRA-S-5V | HRA-S-5V ORIGINAL DIP | HRA-S-5V.pdf | |
![]() | V23533B1100F425 | V23533B1100F425 sie SMD or Through Hole | V23533B1100F425.pdf |