창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUP85N10-10-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUP/SUB85N10-10 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUP85N10-10-GE3 | |
관련 링크 | SUP85N10-, SUP85N10-10-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GQM2195C1H101JB01D | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C1H101JB01D.pdf | ||
SG-615PTJ 28.3220MC0:ROHS | 28.322MHz TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 35mA Enable/Disable | SG-615PTJ 28.3220MC0:ROHS.pdf | ||
NP22N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 | NP22N055SLE-E1-AY.pdf | ||
MLG1608B12NJTD25 | 12nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 130 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLG1608B12NJTD25.pdf | ||
TC124-JR-075K6L | RES ARRAY 4 RES 5.6K OHM 0804 | TC124-JR-075K6L.pdf | ||
B39458-M3568-M201 | B39458-M3568-M201 EPCOS SIP | B39458-M3568-M201.pdf | ||
0402 10K F | 0402 10K F TASUND SMD or Through Hole | 0402 10K F.pdf | ||
LBL293N144B10 | LBL293N144B10 OSR SMD or Through Hole | LBL293N144B10.pdf | ||
ZW1R5-2412 | ZW1R5-2412 COSEL 24V-12V-1.5W | ZW1R5-2412.pdf | ||
NDS9952DYT1 | NDS9952DYT1 FAIRCHILD 11PBF | NDS9952DYT1.pdf | ||
0805F R470 | 0805F R470 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805F R470.pdf | ||
74F355PC | 74F355PC FSC DIP | 74F355PC.pdf |