창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP85N10-10-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP/SUB85N10-10 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP85N10-10-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP85N10-, SUP85N10-10-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ESRD101M02B | 100µF 2V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | ESRD101M02B.pdf | |
![]() | RG1608V-5760-W-T1 | RES SMD 576 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-5760-W-T1.pdf | |
![]() | ATL2111N | ATL2111N ORIGINAL QFP | ATL2111N.pdf | |
![]() | D882--P | D882--P NEC SOT-252 | D882--P.pdf | |
![]() | KT001IA97 | KT001IA97 SKYCROSS SMD or Through Hole | KT001IA97.pdf | |
![]() | VL4012AT-100MR79 | VL4012AT-100MR79 TDK SMD | VL4012AT-100MR79.pdf | |
![]() | CY7C1363C | CY7C1363C CY BGA | CY7C1363C.pdf | |
![]() | EL5372IUZ-T7CT | EL5372IUZ-T7CT INTERSIL SMD or Through Hole | EL5372IUZ-T7CT.pdf | |
![]() | JK16-075 | JK16-075 JK DIP | JK16-075.pdf | |
![]() | MT48H16M16LFB8-75 ES | MT48H16M16LFB8-75 ES micron FBGA | MT48H16M16LFB8-75 ES.pdf | |
![]() | BSH103 T/R | BSH103 T/R PH SMD or Through Hole | BSH103 T/R.pdf |