창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP85N10-10-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP/SUB85N10-10 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SUP85N10-10-E3CT SUP85N10-10-E3CT-ND SUP85N1010E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP85N10-10-E3 | |
| 관련 링크 | SUP85N10, SUP85N10-10-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ100AHE3/5B | TVS DIODE 100VWM 162VC SMB | SMBJ100AHE3/5B.pdf | |
| BZW03C13-TR | DIODE ZENER 13V 1.85W SOD64 | BZW03C13-TR.pdf | ||
![]() | ERJ-A1CJR03U | RES SMD 0.03 OHM 1.33W 2512 WIDE | ERJ-A1CJR03U.pdf | |
![]() | P51-75-G-O-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-G-O-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | ST1230C12K0L | ST1230C12K0L IR SMD or Through Hole | ST1230C12K0L.pdf | |
![]() | 57C43-20D | 57C43-20D WSI DIP | 57C43-20D.pdf | |
![]() | SF2N7262U | SF2N7262U IR SMD | SF2N7262U.pdf | |
![]() | ASM811LEUSF-T | ASM811LEUSF-T ALLIANCE SOT-23 | ASM811LEUSF-T.pdf | |
![]() | 62C1024AL35QLI | 62C1024AL35QLI ISS SMD or Through Hole | 62C1024AL35QLI.pdf | |
![]() | SV48-12-200 | SV48-12-200 AcBel 48V12V200W | SV48-12-200.pdf | |
![]() | EHA2-2600-8 | EHA2-2600-8 ELANTEC CAN | EHA2-2600-8.pdf |