창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUP85N03-3M6P-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUP85N03-3M6P Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3535pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SUP85N03-3M6P-GE3CT SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUP85N03-3M6P-GE3 | |
관련 링크 | SUP85N03-3, SUP85N03-3M6P-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
B37940K2151J060 | 150pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | B37940K2151J060.pdf | ||
7M-25.000MAAE-T | 25MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-25.000MAAE-T.pdf | ||
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S1GB-F | S1GB-F DIODES DO-214AA | S1GB-F.pdf | ||
NVS1206A100CTRF | NVS1206A100CTRF NICCOMP SMD | NVS1206A100CTRF.pdf | ||
XC6SLX4-3CSG225C | XC6SLX4-3CSG225C XILINX PBGA | XC6SLX4-3CSG225C.pdf | ||
ADC0820BCWM/NOPB | ADC0820BCWM/NOPB NS Resolution(Bits)8 | ADC0820BCWM/NOPB.pdf |