창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP85N03-3M6P-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP85N03-3M6P Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3535pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SUP85N03-3M6P-GE3CT SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP85N03-3M6P-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP85N03-3, SUP85N03-3M6P-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CURC301-G | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | CURC301-G.pdf | |
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![]() | ARV22A12 | RF Switch IC General Purpose SPDT 18GHz 50 Ohm Module | ARV22A12.pdf | |
![]() | HAL2420UT-A | IC HALL EFFECT SENSOR LIN TO92 | HAL2420UT-A.pdf | |
![]() | F12C20L | F12C20L MOSPEC TO-220 | F12C20L.pdf | |
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![]() | WG82567VSLAW7 | WG82567VSLAW7 ORIGINAL SMD or Through Hole | WG82567VSLAW7.pdf | |
![]() | PSD312-12LMB | PSD312-12LMB WSI PLCC | PSD312-12LMB.pdf | |
![]() | LT1509IN#PBF | LT1509IN#PBF LINEAR PDIP-20 -40 -125 | LT1509IN#PBF.pdf | |
![]() | JM38510/10307SIA | JM38510/10307SIA LINEAR SMD or Through Hole | JM38510/10307SIA.pdf |