창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP60030E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP60030E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 141nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7910pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP60030E-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP6003, SUP60030E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-PA3D2701V | RES SMD 2.7K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D2701V.pdf | |
![]() | Y4073500R000F9W | RES SMD 500 OHM 1% 0.3W 1206 | Y4073500R000F9W.pdf | |
![]() | H840K2DYA | RES 40.2K OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H840K2DYA.pdf | |
![]() | 1-1478048-0 | 1-1478048-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-1478048-0.pdf | |
![]() | SN74CBT1G125DBNR | SN74CBT1G125DBNR VISHAY SOT23-5 | SN74CBT1G125DBNR.pdf | |
![]() | 216PECGA11F/12F | 216PECGA11F/12F ORIGINAL BGA | 216PECGA11F/12F.pdf | |
![]() | MC10531L | MC10531L MOT CDIP | MC10531L.pdf | |
![]() | L29C520PC-R | L29C520PC-R LOCIC DIP24 | L29C520PC-R.pdf | |
![]() | HS7541AJS | HS7541AJS Sipex SOP18 | HS7541AJS.pdf | |
![]() | BC847AWE6327 | BC847AWE6327 INFINION SOT23 | BC847AWE6327.pdf | |
![]() | CUSTRIP0.030X1.40INCH | CUSTRIP0.030X1.40INCH DONGGUANCITYMEI SMD or Through Hole | CUSTRIP0.030X1.40INCH.pdf | |
![]() | 923D | 923D ORIGINAL SOP-8 | 923D.pdf |