창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP60030E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP60030E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 141nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7910pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP60030E-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP6003, SUP60030E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | RJ5EX105 | 1M Ohm 0.25W, 1/4W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 14 Turn Side Adjustment | RJ5EX105.pdf | |
|  | RR0816Q-26R7-D-42R | RES SMD 26.7 OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816Q-26R7-D-42R.pdf | |
| .jpg) | AT1206DRE07481RL | RES SMD 481 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE07481RL.pdf | |
|  | HVU300BTRU / A1 | HVU300BTRU / A1 Hitachi Sod-323 | HVU300BTRU / A1.pdf | |
|  | 3D16 101M | 3D16 101M ORIGINAL 3D16-100UH | 3D16 101M.pdf | |
|  | BFR38 | BFR38 PHI CAN3 | BFR38.pdf | |
|  | SS2110 | SS2110 ORIGINAL MIC | SS2110.pdf | |
|  | BFG195 E6327 | BFG195 E6327 INFINEON SOT223 | BFG195 E6327.pdf | |
|  | CH05T1623=OM8370PS/N3/1/1735 | CH05T1623=OM8370PS/N3/1/1735 PHILIPS DIP-64 | CH05T1623=OM8370PS/N3/1/1735.pdf | |
|  | KC20E1A106M-TS2 | KC20E1A106M-TS2 ORIGINAL SMD or Through Hole | KC20E1A106M-TS2.pdf | |
|  | SNDH-T4P-G01 | SNDH-T4P-G01 Honeywell SMD or Through Hole | SNDH-T4P-G01.pdf |