창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUP50N03-5M1P-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SUP50N03-5M1P-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SUP50N03-5M1P-GE3CT SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND SUP50N035M1PGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUP50N03-5M1P-GE3 | |
관련 링크 | SUP50N03-5, SUP50N03-5M1P-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C1005C0G1H271J/50 | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H271J/50.pdf | |
![]() | P51-750-A-Z-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-Z-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | BGY67 | BGY67 NXP HYB | BGY67.pdf | |
![]() | 74ABT16245ADLR | 74ABT16245ADLR TI SSOP48 | 74ABT16245ADLR.pdf | |
![]() | UVQ-2.5/40-D48P-C | UVQ-2.5/40-D48P-C Datel SMD or Through Hole | UVQ-2.5/40-D48P-C.pdf | |
![]() | TDA4585 | TDA4585 PHI DIP32 | TDA4585.pdf | |
![]() | STB22NM03L | STB22NM03L ST TO-263 | STB22NM03L.pdf | |
![]() | C1608JF1C334ZT000N | C1608JF1C334ZT000N TDK SMD or Through Hole | C1608JF1C334ZT000N.pdf | |
![]() | NC7SZ58L6X_NL | NC7SZ58L6X_NL Fairchild MAC06A | NC7SZ58L6X_NL.pdf | |
![]() | VK018 | VK018 ST SOP-8 | VK018.pdf | |
![]() | K6F8016U6B | K6F8016U6B ORIGINAL BGA | K6F8016U6B.pdf |