창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUP40N25-60-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUP40N25-60 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SUP40N25-60-E3CT SUP40N25-60-E3CT-ND SUP40N2560E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUP40N25-60-E3 | |
관련 링크 | SUP40N25, SUP40N25-60-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D4R7CLAAJ | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R7CLAAJ.pdf | |
![]() | HLC021R6BTTR | 1.6nH Unshielded Multilayer Inductor 660mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HLC021R6BTTR.pdf | |
![]() | LP2951CMX-3.3NOPB | LP2951CMX-3.3NOPB NS SMD or Through Hole | LP2951CMX-3.3NOPB.pdf | |
![]() | BSTN45B90 | BSTN45B90 SIEMENS SMD or Through Hole | BSTN45B90.pdf | |
![]() | ECR101M25B | ECR101M25B HIA SMD or Through Hole | ECR101M25B.pdf | |
![]() | 4310-001-3 | 4310-001-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4310-001-3.pdf | |
![]() | V7311T1S1 | V7311T1S1 SGS CDIP | V7311T1S1.pdf | |
![]() | T10-4 | T10-4 TANAKI SMD or Through Hole | T10-4.pdf | |
![]() | 2DI100D-050D | 2DI100D-050D FUJI SMD or Through Hole | 2DI100D-050D.pdf | |
![]() | HIF4-16P-3.18DSA | HIF4-16P-3.18DSA HRS SMD or Through Hole | HIF4-16P-3.18DSA.pdf | |
![]() | 32D681K | 32D681K MYL SMD or Through Hole | 32D681K.pdf |