창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP25P10-138-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP25P10-138-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8 m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP25P10-138-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP25P10-, SUP25P10-138-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 226SML016M | 22µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 12.057 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 226SML016M.pdf | |
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![]() | TBA120S3N | TBA120S3N S DIP | TBA120S3N.pdf | |
![]() | 6026B0079002 | 6026B0079002 ORIGINAL NA | 6026B0079002.pdf | |
![]() | Q346018023 | Q346018023 OKI SOP16 | Q346018023.pdf | |
![]() | 41952H | 41952H ORIGINAL SMD or Through Hole | 41952H.pdf | |
![]() | 9880-442 | 9880-442 AMI PLCC-84 | 9880-442.pdf | |
![]() | ESD3Z03C | ESD3Z03C formosams SOD323 | ESD3Z03C.pdf | |
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