창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM90N10-8M2P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM90N10-8M2P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6290pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM90N10-8M2P-E3TR SUM90N108M2PE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM90N10-8M2P-E3 | |
관련 링크 | SUM90N10-, SUM90N10-8M2P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | IRLU3705ZPBF | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | IRLU3705ZPBF.pdf | |
![]() | MBB02070C3301FC100 | RES 3.3K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3301FC100.pdf | |
![]() | IS42S16160D-6BLI | IS42S16160D-6BLI ISSI BGA54 | IS42S16160D-6BLI.pdf | |
![]() | TL314133-137 | TL314133-137 TAIWAN DIP | TL314133-137.pdf | |
![]() | DS1307Z/TR | DS1307Z/TR DALLAS SOP-8 | DS1307Z/TR.pdf | |
![]() | A1184 | A1184 HAR SSOP | A1184.pdf | |
![]() | ATV250B-15KC | ATV250B-15KC ATMEL LCC | ATV250B-15KC.pdf | |
![]() | 2SJ362-T1 | 2SJ362-T1 NEC SMD | 2SJ362-T1.pdf | |
![]() | SBRB1560-G-T4 | SBRB1560-G-T4 SSG TO-263 | SBRB1560-G-T4.pdf | |
![]() | SSM3J15F(TE85L | SSM3J15F(TE85L TOSHIBA SOT-23 | SSM3J15F(TE85L.pdf | |
![]() | AM9519A-1SMB | AM9519A-1SMB AMD DIP | AM9519A-1SMB.pdf | |
![]() | PB15S-A | PB15S-A POWERBOY SMD or Through Hole | PB15S-A.pdf |