창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM90N04-3M3P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM90N04-3M3P-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 131nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5286pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM90N04-3M3P-E3 | |
관련 링크 | SUM90N04-, SUM90N04-3M3P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ARS35Y4H | ARS RELAY 1 FORM C REV 4.5V | ARS35Y4H.pdf | |
![]() | YC102-JR-0751KL | RES ARRAY 2 RES 51K OHM 0302 | YC102-JR-0751KL.pdf | |
![]() | Y07935K25000T0L | RES 5.25K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y07935K25000T0L.pdf | |
![]() | 856243 | 856243 TriQuint SMD or Through Hole | 856243.pdf | |
![]() | M60080L-0104FP | M60080L-0104FP N/A NC | M60080L-0104FP.pdf | |
![]() | RNCF1206TKT10K0 | RNCF1206TKT10K0 STACKPOLEELECTRONICS RNCFSeries12060.1 | RNCF1206TKT10K0.pdf | |
![]() | 00 6232 103 102 800 | 00 6232 103 102 800 KYOCERA SMD | 00 6232 103 102 800.pdf | |
![]() | AM81E478-35JC | AM81E478-35JC AMD PLCC44 | AM81E478-35JC.pdf | |
![]() | EM638325TS-6C | EM638325TS-6C EM SMD | EM638325TS-6C.pdf | |
![]() | SS-3B-1.6-4.8D | SS-3B-1.6-4.8D RONGFENGELECTRIC SMD or Through Hole | SS-3B-1.6-4.8D.pdf | |
![]() | SY3128A33M3G | SY3128A33M3G SANY SOT23-3 | SY3128A33M3G.pdf |