창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM60N02-3M9P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM60N02-3M9P | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5950pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM60N02-3M9P-E3 | |
| 관련 링크 | SUM60N02-, SUM60N02-3M9P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RE1206FRE0751RL | RES SMD 51 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0751RL.pdf | |
![]() | HT121-1-W5-D3 | HT121-1-W5-D3 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT121-1-W5-D3.pdf | |
![]() | M74ACT245RM13TR | M74ACT245RM13TR ST SOP7.2 | M74ACT245RM13TR.pdf | |
![]() | HFW5R-2STE1 | HFW5R-2STE1 KYOC SOP-8 | HFW5R-2STE1.pdf | |
![]() | JXS0000-1811FC | JXS0000-1811FC ALPS SMD or Through Hole | JXS0000-1811FC.pdf | |
![]() | 8M06 | 8M06 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8M06.pdf | |
![]() | 8515L-8MU | 8515L-8MU ATMEL MLF | 8515L-8MU.pdf | |
![]() | MCB1608S102C | MCB1608S102C ETC 0603- | MCB1608S102C.pdf | |
![]() | PT6643E | PT6643E TI SMD or Through Hole | PT6643E.pdf | |
![]() | 988171035 | 988171035 MOLEX SMD or Through Hole | 988171035.pdf | |
![]() | QR/P4-8S-C 01 | QR/P4-8S-C 01 HRS SMD or Through Hole | QR/P4-8S-C 01.pdf | |
![]() | R6201250XX00 | R6201250XX00 POWEREX DO-200AA | R6201250XX00.pdf |